|
Avis consommateurs
|
|
AENEON AEH660UD00-10F
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
|
Fiche technique et Spécifications
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3;
Facteur de forme: DIMM 240 broches;
Fréquence d'horloge: 1066 MHz;
Bande passante: 8500 MO/s;
Volume: 1 module de 512 MO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 7;
De plus
Tension d'alimentation: 1.5;
|
|
Photographie du produit
AENEON AEH660UD00-10F images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1066 MHz
- CAS latency (CL): 7
|
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 9
|
|
