G.SKILL
Mémoire vive
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
Avis consommateurs
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G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Caractéristiques et Fiche technique
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR2; Facteur de forme: SODIMM 200-pin; Fréquence d'horloge: 800 MHz; Bande passante: 6400 MO/s; Volume: 1 module de 4 GO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 6; RAS to CAS Delay (tRCD): 6; Ligne Precharge Delay (tRP): 6; Activer la Precharge Delay (tRAS): 18; De plus Tension d'alimentation: 1.8;
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Photographie du produit
G.SKILL F2-6400CL6S-4GBSQ images
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Populaire aujourd'hui
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Similaires Mémoire vive
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
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- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 6
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