G.SKILL
Mémoire vive
G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ
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G.SKILL F3-12800CL11D-8GBSQ
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Caractéristiques et Spécifications
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3;
Facteur de forme: SODIMM 204-pin;
Fréquence d'horloge: 1600 MHz;
Bande passante: 12800 MO/s;
Volume: 2 à 4 go;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 11;
RAS to CAS Delay (tRCD): 11;
Ligne Precharge Delay (tRP): 11;
Activer la Precharge Delay (tRAS): 28;
De plus
Tension d'alimentation: 1.5;
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Photographie du produit
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- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
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