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Avis consommateurs
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G.SKILL F3-1600C11S-4GIS
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche technique et Spécifications
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3;
Facteur de forme: DIMM 240 broches;
Fréquence d'horloge: 1600 MHz;
Bande passante: 12800 MO/s;
Volume: 1 module de 4 GO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 11;
RAS to CAS Delay (tRCD): 11;
Ligne Precharge Delay (tRP): 11;
Activer la Precharge Delay (tRAS): 28;
De plus
Tension d'alimentation: 1.5;
Radiateur: oui;
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Photographie du produit
G.SKILL F3-1600C11S-4GIS images
Plus de images
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Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Similaires Mémoire vive
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 9
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- fréquence de 1600 MHz
- CAS latency (CL): 11
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- fréquence de 1600 MHz
- CAS latency (CL): 11
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