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Infineon Mémoire vive

		Infineon DDR 333 SODIMM 256Mo 1 module de mémoire DDR la capacité d'un module 256 MO facteur de forme SODIMM, 200-pin fréquence de 333 MHz CAS latency (CL): 2.5
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		Infineon DDR 266 Registered ECC DIMM 1Go 1 module de mémoire DDR le volume du module 1 GO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 266 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 2
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		Infineon DDR 266 Registered ECC DIMMs 256Mo 1 module de mémoire DDR la capacité d'un module 256 MO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 266 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 2
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		Infineon DDR2 533 DIMM 256Mo 1 module de mémoire DDR2 la capacité d'un module 256 MO facteur de forme DIMM 240 broches fréquence de 533 MHz CAS latency (CL): 4
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		Infineon SDRAM 133 DIMM 128Mo 1 module de mémoire SDRAM le volume du module 128 MO facteur de forme DIMM la fréquence de 133 MHz CAS latency (CL): 2
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		Infineon SDRAM 133 DIMM 256Mo 1 module de mémoire SDRAM la capacité d'un module 256 MO facteur de forme DIMM la fréquence de 133 MHz
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		Infineon SDRAM 133 SO-DIMM 128Mo 1 module de mémoire SDRAM le volume du module 128 MO facteur de forme SODIMM la fréquence de 133 MHz CAS latency (CL): 2
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		Infineon SDRAM 100 Registered ECC DIMM 1Go 1 module de mémoire SDRAM le volume du module 1 GO facteur de forme DIMM la fréquence de 100 MHz ECC soutien
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		Infineon DDR 400 DIMM 256Mo 1 module de mémoire DDR la capacité d'un module 256 MO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 400 MHz CAS latency (CL): 3
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		Infineon DDR2 400 SODIMM 256Mo 1 module de mémoire DDR2 la capacité d'un module 256 MO facteur de forme SODIMM fréquence de 400 MHz
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		Infineon DDR 333 Registered ECC DIMM 1Go Low Profile 1 module de mémoire DDR le volume du module 1 GO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 333 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 2.5
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		Infineon DDR 333 Registered ECC DIMM 512Mo Low Profile 1 module de mémoire DDR le volume du module 512 MO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 333 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 2.5
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