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Kingston M6464B250
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Caractéristiques et Spécifications
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR; Facteur de forme: SODIMM 200-pin; Fréquence d'horloge: 266 MHz; Bande passante: 2100 MO/s; Volume: 1 module de 512 MO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; De plus Compatibilité: 91.43U29.003 (Acer); 5000639 (Passerelle);*A000009500 (NEC); AP*A000033800 NEC PK-UG-M037 (NEC); CF WMBA20512 (Panasonic); CF WMBA30512 (Panasonic); SMM-512D266E/E (Samsung);
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Photographie du produit
Kingston M6464B250 images
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Populaire aujourd'hui
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Similaires Mémoire vive
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 2 GO
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- la fréquence de 1333 MHz
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
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- la fréquence de 1333 MHz
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
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