Mushkin Mémoire vive
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- 1 module de mémoire DDR
- module de l'espace de 512 MO
- facteur de forme SODIMM 200-pin
- fréquence de 400 MHz
- CAS latency (CL): 3
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- 2 de la DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 7
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 7
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- 2 de la DDR3
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 7
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 7
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 8
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1066 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- 2 de la DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 8
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1066 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- 2 de la DDR3
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 7
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 4
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 1000 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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