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OCZ OCZ2P800R2512
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche technique et Spécifications
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR2; Facteur de forme: DIMM 240 broches; Fréquence d'horloge: 800 MHz; Bande passante: 6400 MO/s; Volume: 1 module de 512 MO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 4; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Ligne Precharge Delay (tRP): 4; Activer la Precharge Delay (tRAS): 15; De plus Tension d'alimentation: 1.9; Radiateur: oui; Informations complémentaires: tension d'alimentation 1.9-2.1V, soutien en technologie de l'Étendue de la Protection de Tension, ATI CrossFire Certifiés;
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Photographie du produit
OCZ OCZ2P800R2512 images
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Populaire aujourd'hui
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Similaires Mémoire vive
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- ECC soutien
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 16 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- ECC soutien
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Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 2400 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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