Patriot Memory
Mémoire vive
Patriot Memory AE316G1601U2K-UG
Avis consommateurs
|
Patriot Memory AE316G1601U2K-UG
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
Caractéristiques et Spécifications
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR3; Facteur de forme: DIMM 240 broches; Fréquence d'horloge: 1600 MHz; Bande passante: 12800 MO/s; Volume: 2 module 8 GO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Ligne Precharge Delay (tRP): 11; De plus Tension d'alimentation: 1.5; Le nombre de rangées: 2;
|
|
Photographie du produit
Patriot Memory AE316G1601U2K-UG images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
|
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- CAS latency (CL): 11
|
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 2400 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 10
|
|