PNY Mémoire vive
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- 2 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 184 broches
- la fréquence de 550 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 2.5
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- 2 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 184 broches
- la fréquence de 600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 2.5
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- 1 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 184 broches
- fréquence de 400 MHz
- CAS latency (CL): 3
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- radiateur de refroidissement
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- la capacité d'un module 256 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 533 MHz
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