ProMOS Technologies Mémoire vive
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 533 MHz
- CAS latency (CL): 4
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 533 MHz
- CAS latency (CL): 4
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 6
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 6
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- 1 module de mémoire DDR2
- la capacité d'un module 256 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 6
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 6
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- la capacité d'un module 256 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence de 800 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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