Qimonda
Mémoire vive
Qimonda HYS72T128420HFN-3S-B
Avis consommateurs
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Qimonda HYS72T128420HFN-3S-B
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Caractéristiques et Spécifications
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR2; Facteur de forme: FB-DIMM 240-pin; Fréquence: 667 MHz; Bande passante: 5300 MO/s; Volume: 1 module de 1 GO; ECC: oui; Un-Buffered (Enregistré): Oui; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Ligne Precharge Delay (tRP): 5; De plus Le nombre de jetons de chaque module: 18, dans les deux sens de l'emballage; Tension d'alimentation: 1.8; Radiateur: oui; Le nombre de rangées: 2;
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Photographie du produit
Qimonda HYS72T128420HFN-3S-B images
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Brève spécifications
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- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 4
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
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- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 1 GO
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- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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