Samsung
Mémoire vive
Samsung DDR 400 ECC DIMM 512Mo
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Samsung DDR 400 ECC DIMM 512Mo
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche technique et Spécifications
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR; Facteur de forme: DIMM 184 broches; Fréquence d'horloge: 400 MHz; Bande passante: 3200 MO/s; Volume: 1 module de 512 MO; ECC: oui; Un-Buffered (Enregistré): Oui; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 2.5; De plus Le nombre de jetons de chaque module: 8 de l'emballage; Tension d'alimentation: 2.5; Le nombre de rangées: 1;
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Photographie du produit
Samsung DDR 400 ECC DIMM 512Mo images
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Populaire aujourd'hui
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- la fréquence de 1333 MHz
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- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
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- CAS latency (CL): 5
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM
- fréquence de 333 MHz
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM
- fréquence de 266 MHz
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