Samsung
Mémoire vive
Samsung DDR2 533 Registered ECC DIMMs 256Mo
|
Avis consommateurs
|
|
Samsung DDR2 533 Registered ECC DIMMs 256Mo
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
|
Spécifications et Fiche technique
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR2;
Facteur de forme: DIMM 240 broches;
Fréquence d'horloge: 533 MHz;
Bande passante: 4200 MO/s;
Volume: 1 module de 256 MO;
ECC: oui;
Un-Buffered (Enregistré): Oui;
Support Profil bas (Low Profile): non;
De plus
Tension d'alimentation: 1.8;
|
|
Photographie du produit
Samsung DDR2 533 Registered ECC DIMMs 256Mo images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
- la capacité d'un module 256 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 400 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 3
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- ECC soutien
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
|
|
