Samsung
Mémoire vive
Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Go
Avis consommateurs
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Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Go
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche et Caractéristiques
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR3; Facteur de forme: SODIMM 204-pin; Fréquence d'horloge: 1066 MHz; Bande passante: 8500 MO/s; Volume: 1 module de 4 GO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 7; RAS to CAS Delay (tRCD): 7; Ligne Precharge Delay (tRP): 7; De plus Le nombre de jetons de chaque module: 16, dans les deux sens de l'emballage; Tension d'alimentation: 1.5; Le nombre de rangées: 2;
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Photographie du produit
Samsung DDR3 1066 SO-DIMM 4Go images
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- facteur de forme SODIMM, 200-pin
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
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- CAS latency (CL): 5
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