Samsung
Mémoire vive
Samsung DDR3 1866 8Go ECC DIMMs
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Avis consommateurs
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Samsung DDR3 1866 8Go ECC DIMMs
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche technique et Caractéristiques
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3;
Facteur de forme: DIMM 240 broches;
Fréquence d'horloge: 1866 MHz;
Volume: 1 module de 8 GO;
ECC: oui;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 13;
RAS to CAS Delay (tRCD): 13;
Ligne Precharge Delay (tRP): 13;
De plus
Le nombre de jetons de chaque module: 18, dans les deux sens de l'emballage;
Tension d'alimentation: 1.5;
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Photographie du produit
Samsung DDR3 1866 8Go ECC DIMMs images
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Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
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- facteur de forme SODIMM, 204-pin
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 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
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- CAS latency (CL): 5
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- le volume du module 8 GO
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- CAS latency (CL): 13
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Brève spécifications
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- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1866 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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