Samsung
Mémoire vive

Samsung DDR3 1866 8Go ECC DIMMs

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Fiche technique et Caractéristiques

Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3;
Facteur de forme: DIMM 240 broches;
Fréquence d'horloge: 1866 MHz;
Volume: 1 module de 8 GO;
ECC: oui;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 13;
RAS to CAS Delay (tRCD): 13;
Ligne Precharge Delay (tRP): 13;
De plus
Le nombre de jetons de chaque module: 18, dans les deux sens de l'emballage;
Tension d'alimentation: 1.5;
 
 
 
 
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Brève Fiche technique
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 4 GO
  • facteur de forme SODIMM, 204-pin
  • la fréquence de 1333 MHz
  • CAS latency (CL): 9
 
 
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Brève Fiche technique
  • 1 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 128 MO
  • facteur de forme SODIMM, 200-pin
  • fréquence 667 MHz
  • CAS latency (CL): 5
 
 
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Brève Fiche technique
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence de 800 MHz
  • radiateur de refroidissement
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 

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Brève spécifications
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 8 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence de 1866 MHz
  • CAS latency (CL): 13
 
 
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Brève spécifications
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 8 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence de 1866 MHz
  • CAS latency (CL): 13
 
 
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Brève spécifications
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 8 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence de 1866 MHz
  • radiateur de refroidissement
  • CAS latency (CL): 11
 
 
 
 
Modes de paiement Modes de paiement
Sécurité maximale Sécurité maximale