Samsung
Mémoire vive
Samsung DDR3L 1066 SO-DIMM 4Go
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Avis consommateurs
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Samsung DDR3L 1066 SO-DIMM 4Go
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche et Caractéristiques
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR3L;
Facteur de forme: SODIMM 204-pin;
Fréquence d'horloge: 1066 MHz;
Bande passante: 8500 MO/s;
Volume: 1 module de 4 GO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 7;
RAS to CAS Delay (tRCD): 7;
Ligne Precharge Delay (tRP): 7;
De plus
Tension d'alimentation: 1,35;
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Photographie du produit
Samsung DDR3L 1066 SO-DIMM 4Go images
Plus de images
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Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
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- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3L
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1066 MHz
- CAS latency (CL): 7
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3L
- le volume du module 8 GO
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- CAS latency (CL): 7
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