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Silicon Power Mémoire vive

		Silicon Power SP008GBLTU160NS2 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 8 GO facteur de forme : DIMM 240 broches fréquence de 1600 MHz radiateur de refroidissement CAS latency (CL): 11
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		Silicon Power SP004GBSTU133N02 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 4 GO facteur de forme SODIMM, 204-pin la fréquence de 1333 MHz
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		Silicon Power SP008GBLTU160V02 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 8 GO facteur de forme DIMM 240 broches fréquence de 1600 MHz
		Détails du produit

		Silicon Power SP004GBSTU160N02 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 4 GO facteur de forme SODIMM, 204-pin fréquence de 1600 MHz CAS latency (CL): 11
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		Silicon Power SP004GBSTU160N01 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 4 GO facteur de forme SODIMM, 204-pin fréquence de 1600 MHz CAS latency (CL): 11
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		Silicon Power SP001GBLDU400O02 1 module de mémoire DDR le volume du module 1 GO facteur de forme DIMM 184 broches fréquence de 400 MHz CAS latency (CL): 3
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		Silicon Power SP001GBSTU133Q02 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 1 GO facteur de forme SODIMM, 204-pin la fréquence de 1333 MHz CAS latency (CL): 9
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		Silicon Power SP006GBLYU200S3B 3 DDR3 le volume du module 2 GO facteur de forme DIMM 240 broches 2000 MHz de fréquence radiateur de refroidissement CAS latency (CL): 9
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		Silicon Power SP006GBLYU213S3B 3 DDR3 le volume du module 2 GO facteur de forme DIMM 240 broches fréquence de 2133 MHz radiateur de refroidissement CAS latency (CL): 9
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		Silicon Power SP004GBRTE133V01 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 4 GO facteur de forme DIMM 240 broches la fréquence de 1333 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 9
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		Silicon Power SP008GBRTE133M0A 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 8 GO facteur de forme DIMM 240 broches la fréquence de 1333 MHz ECC soutien CAS latency (CL): 9
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		Silicon Power SP002GBSTU133S01 1 module de mémoire DDR3 le volume du module 2 GO facteur de forme SODIMM, 204-pin la fréquence de 1333 MHz CAS latency (CL): 9
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