Silicon Power
Mémoire vive
Silicon Power SP001GBFRE667S01
|
Avis consommateurs
|
|
Silicon Power SP001GBFRE667S01
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
|
Fiche et Caractéristiques
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR2;
Facteur de forme: FB-DIMM 240-pin;
Fréquence: 667 MHz;
Bande passante: 5300 MO/s;
Volume: 1 module de 1 GO;
ECC: oui;
Un-Buffered (Enregistré): Oui;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 5;
RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
Ligne Precharge Delay (tRP): 5;
De plus
Le nombre de jetons de chaque module: 9;
Tension d'alimentation: 1.8;
Radiateur: oui;
|
|
Photographie du produit
Silicon Power SP001GBFRE667S01 images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
|
|
