Silicon Power
Mémoire vive
Silicon Power SP001GBFRE800S01
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Avis consommateurs
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Silicon Power SP001GBFRE800S01
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche et Spécifications
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR2;
Facteur de forme: FB-DIMM 240-pin;
Fréquence d'horloge: 800 MHz;
Bande passante: 6400 MO/s;
Volume: 1 module de 1 GO;
ECC: oui;
Un-Buffered (Enregistré): Oui;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 5;
RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
Ligne Precharge Delay (tRP): 5;
De plus
Le nombre de jetons de chaque module: 9;
Tension d'alimentation: 1.8;
Radiateur: oui;
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Photographie du produit
Silicon Power SP001GBFRE800S01 images
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Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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