Silicon Power
Mémoire vive
Silicon Power SP004GBLYU160S2B
Avis consommateurs
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Silicon Power SP004GBLYU160S2B
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Caractéristiques et Fiche
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR3; Facteur de forme: DIMM 240 broches; Fréquence d'horloge: 1600 MHz; Bande passante: 12800 MO/s; Volume: 2 module 2 GO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 9; De plus Le nombre de jetons de chaque module: 16, dans les deux sens de l'emballage; Tension d'alimentation: 1.65 V; Radiateur: oui;
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Photographie du produit
Silicon Power SP004GBLYU160S2B images
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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