Silicon Power
Mémoire vive
Silicon Power SP512MBSRU667O02
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Avis consommateurs
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Silicon Power SP512MBSRU667O02
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Spécifications et Fiche technique
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR2;
Facteur de forme: SODIMM 200-pin;
Fréquence: 667 MHz;
Bande passante: 5300 MO/s;
Volume: 1 module de 512 MO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 5;
RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
Ligne Precharge Delay (tRP): 5;
De plus
Tension d'alimentation: 1.8;
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Photographie du produit
Silicon Power SP512MBSRU667O02 images
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- facteur de forme SODIMM, 200-pin
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