Sun Microsystems Mémoire vive

 
 
  • 2 module de mémoire DDR
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 184 broches
  • le 333 MHz
  • ECC soutien
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence de 533 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 4
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme de la FB-DIMM 240-pin
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 1 GO
  • facteur de forme de la FB-DIMM 240-pin
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 1 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 1 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 512 MO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
 
 
 
  • 2 module de mémoire DDR2
  • le volume du module 1 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • fréquence 667 MHz
  • ECC soutien
  • CAS latency (CL): 5
 
 
 
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • la fréquence de 1066 MHz
  • ECC soutien
 
 
 
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 2 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • la fréquence de 1333 MHz
  • ECC soutien
 
 
 
  • 1 module de mémoire DDR3
  • le volume du module 4 GO
  • facteur de forme DIMM 240 broches
  • la fréquence de 1333 MHz
  • ECC soutien
 
 
Modes de paiement Modes de paiement
Sécurité maximale Sécurité maximale