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Mémoire vive
Team Group TED11G400HC3DC01
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche technique et Caractéristiques
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR; Facteur de forme: DIMM 184 broches; Fréquence d'horloge: 400 MHz; Bande passante: 3200 MO/s; Volume: 2 x 512 MO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 3; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Ligne Precharge Delay (tRP): 4; Activer la Precharge Delay (tRAS): 8; De plus Tension d'alimentation: 2,6;
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Photographie du produit
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Populaire aujourd'hui
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- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
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| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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Similaires Mémoire vive
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Brève spécifications
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- facteur de forme DIMM 240 broches
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- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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Brève spécifications
- 4 DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 2666 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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