Team Group
Mémoire vive
Team Group TED11GM400C3-S01
Avis consommateurs
|
Team Group TED11GM400C3-S01
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
Fiche et Caractéristiques
Caractéristiques générales Type de mémoire: DDR; Facteur de forme: SODIMM 200-pin; Fréquence d'horloge: 400 MHz; Bande passante: 3200 MO/s; Volume: 1 module de 1 GO; ECC support: aucune; Un-Buffered (Enregistré): non; Support Profil bas (Low Profile): non; Minutage CAS latency (CL): 3; RAS to CAS Delay (tRCD): 4; Ligne Precharge Delay (tRP): 4; Activer la Precharge Delay (tRAS): 8; De plus Tension d'alimentation: 2,6;
|
|
Photographie du produit
Team Group TED11GM400C3-S01 images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
| | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
| | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 2 de la DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
|
|
|
Brève spécifications
- 4 DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 2666 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
|
|