Team Group
Mémoire vive
Team Group TSDR512M400C3-E
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Avis consommateurs
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Team Group TSDR512M400C3-E
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Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
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Fiche et Spécifications
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR;
Facteur de forme: SODIMM 200-pin;
Fréquence d'horloge: 400 MHz;
Bande passante: 3200 MO/s;
Volume: 1 module de 512 MO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
Minutage
CAS latency (CL): 3;
RAS to CAS Delay (tRCD): 4;
Ligne Precharge Delay (tRP): 4;
Activer la Precharge Delay (tRAS): 8;
De plus
Tension d'alimentation: 2,6;
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Photographie du produit
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Plus de images
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Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
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 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
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 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
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- facteur de forme DIMM 240 broches
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- CAS latency (CL): 11
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Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 1600 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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Brève spécifications
- 4 DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 2666 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 11
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