|
Avis consommateurs
|
|
Transcend TS128MSYGRX5
Note: 0
Nombre de votes: 0
|
|
|
Build quality
Qualité/Prix
Facilité d'utilisation
|
|
|
Spécifications et Fiche technique
Caractéristiques générales
Type de mémoire: DDR;
Facteur de forme: SODIMM 200-pin;
Fréquence d'horloge: 266 MHz;
Bande passante: 2100 MO/s;
Volume: 1 module 128 MO;
ECC support: aucune;
Un-Buffered (Enregistré): non;
Support Profil bas (Low Profile): non;
De plus
Compatibilité: Sony VAIO PCG-GRT230/250/270, VAIO VGN-K30/K30B/K50B/K70B, VAIO PCG-Z1VE/Z1VTP, VAIO PCG-GRS70/P, VAIO PCG-K33/K35/K37/K86P/K86SP, VAIO PCG-GRX315MK/MP, GRX316G/MK/SK/SP/MP, GRX415MK/MP, VAIO nv100 bases, NV170/P, NV190/P, NV200, NV209, NVR23, VAIO PCG-GRX570, GRX580/K/P, GRX590, GRS100/150/170 , VAIO PCG-GRX416G, GRX500, GRX520, GRX550, GRX560, VAIO PCG-GRZ600P1, GRZ610, VAIO PCG-GRT1002A/1003/1008/150/170, VAIO PCG-Z1R/P, VAIO PCG-K33/K35/K37/K86P/K86SP, VAIO PCG-Z1VA/VAP/VAP1/VAP2/VP/RA/RAP1/RTP/PCV/VFP/VJP/PPV/VTP, VAIO PCG-V505AX/AXP/BX/GP/GTP/GSP/T, VAIO PCG-Z1GP/Z1MP/Z1A/Z1A1/Z1AP1;
|
|
Photographie du produit
Transcend TS128MSYGRX5 images
Plus de images
|
|
|
Populaire aujourd'hui
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
 | | Brève Fiche technique - 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 128 MO
- facteur de forme SODIMM, 200-pin
- fréquence 667 MHz
- CAS latency (CL): 5
|
 | | Brève Fiche technique - 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 800 MHz
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
Similaires Mémoire vive
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR2
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme de la FB-DIMM 240-pin
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- radiateur de refroidissement
- CAS latency (CL): 5
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- fréquence de 1600 MHz
- CAS latency (CL): 11
|
|
|
Brève spécifications
- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 8 GO
- facteur de forme SODIMM, 204-pin
- la fréquence de 1333 MHz
- CAS latency (CL): 9
|
|
