Sun Microsystems Mémoire vive
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- 2 module de mémoire DDR
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 184 broches
- le 333 MHz
- ECC soutien
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence de 533 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 4
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme de la FB-DIMM 240-pin
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme de la FB-DIMM 240-pin
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 512 MO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
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- 2 module de mémoire DDR2
- le volume du module 1 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- fréquence 667 MHz
- ECC soutien
- CAS latency (CL): 5
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1066 MHz
- ECC soutien
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 2 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- ECC soutien
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- 1 module de mémoire DDR3
- le volume du module 4 GO
- facteur de forme DIMM 240 broches
- la fréquence de 1333 MHz
- ECC soutien
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